高純氧氣電漿對(duì)多孔隙低介電系數(shù)材料的影響
發(fā)布時(shí)間：2020-03-23來(lái)源：洛陽(yáng)華普高純氣體點(diǎn)擊：3497
高純氧氣電漿對(duì)多孔隙低介電系數(shù)材料的影響
高純氧氣是氧元素常見(jiàn)的單質(zhì)形態(tài),。高純氧氣是空氣的組分之一,，無(wú)色、無(wú)嗅,、無(wú)味,。高純氧氣被廣泛運(yùn)用于各個(gè)行業(yè)，如醫(yī)療,、化工,、航天等。高純氧氣電漿處理對(duì)多孔隙低介電系數(shù)材料之影響,，主要可分成以下五個(gè)部分,。
第 一 部分、為分析不同低介電系數(shù)材料(low-k)經(jīng)過(guò)高純氧氣電漿處理后的退化情形,，其介電系數(shù)(k)范圍為2.5~3.0,，經(jīng)過(guò)高純氧氣電漿處理后的低介電系數(shù)材料因?yàn)镾i-OH鍵結(jié)的形成,，使其介電系數(shù)上升，當(dāng)摻雜有機(jī)高分子(Porogen)的低介電系數(shù)材料經(jīng)過(guò)高純氧氣電漿處理,，會(huì)形成更多Si-OH鍵結(jié),，使其電性及可靠度變差，而低介電系數(shù)材料摻雜有機(jī)高分子再經(jīng)過(guò)紫外光(UV)照射處理雖有更低的介電系數(shù),，但其電性及可靠度卻會(huì)變差,；然而，經(jīng)過(guò)He/H2遙控電漿處理的低介電系數(shù)材料因?yàn)闇p少了電漿中離子轟擊的影響,，使其表面較緻密,，因此可以有效降低高純氧氣電漿的破壞。
第二部分,、主要研究多孔隙低介電系數(shù)材料經(jīng)過(guò)不同射頻功率,、處理時(shí)間及氣體流量的高純氧氣電漿處理后，其對(duì)薄膜特性,、電性以及可靠度之影響,。實(shí)驗(yàn)結(jié)果顯示，經(jīng)過(guò)電漿製程后,，會(huì)在薄膜表面形成一層表面改質(zhì)層,，當(dāng)提高射頻功率及處理時(shí)間時(shí)，表面改質(zhì)層的厚度比較高,，而當(dāng)氣體流量減少時(shí),，表面改質(zhì)層的厚度也比較高，這表示高純氧氣電漿處理對(duì)多孔隙低介電系數(shù)材料之破壞會(huì)隨著射頻功率及處理時(shí)間的增加而增加,，隨著氣體流量增加而減少,；高純氧氣電漿中離子轟擊將脆弱的鍵結(jié)打斷并形成與水氣有關(guān)之Si-OH鍵結(jié)，而其本身的低極性Si-CH3鍵結(jié)會(huì)減少,，造成薄膜由疏水性變?yōu)橛H水性，介電系數(shù)也因而上升,，薄膜機(jī)械強(qiáng)度和電性以及可靠度皆變差,，且變化幅度會(huì)隨著射頻功率及處理時(shí)間的增加而增加，隨著氣體流量增加而減少,。
第三部,、分則利用一個(gè)特殊設(shè)計(jì)的冪罩結(jié)構(gòu)來(lái)探討電漿中離子、光子及自由基對(duì)低介電系數(shù)薄膜的退化影響程度,；實(shí)驗(yàn)結(jié)果顯示,，電漿中所有成分皆會(huì)造成低介電系數(shù)薄膜電性及可靠度的退化，而離子會(huì)造成嚴(yán)重的破壞,；再者,，自由基,、光子及離子共同造成的破壞會(huì)更加嚴(yán)重。
第四部,、分為探討內(nèi)連線鑲嵌溝槽結(jié)構(gòu)中側(cè)壁(Sidewall)及底層(Bottom)之low-k 薄膜在高純氧氣電漿製程中受到之影響,，我們便設(shè)計(jì)一簡(jiǎn)單溝槽結(jié)構(gòu)來(lái)模擬實(shí)際的溝槽結(jié)構(gòu)。實(shí)驗(yàn)結(jié)果指出,，經(jīng)過(guò)高純氧氣電漿處理后,，溝槽結(jié)構(gòu)中Sidewall薄膜及Bottom薄膜的電性與可靠度皆會(huì)變差，且溝槽結(jié)構(gòu)中Sidewall薄膜所受到的破壞比Bottom薄膜少,。同時(shí),，當(dāng)溝槽的寬度下降時(shí)，高純氧氣電漿對(duì)Sidewall薄膜及Bottom薄膜的破壞皆會(huì)減少,，因?yàn)橛休^低流量的高純氧氣電漿成分通過(guò),。因此，在相同電漿處理及l(fā)ow-k薄膜的條件下,，當(dāng)溝槽結(jié)構(gòu)寬度微縮時(shí),，不會(huì)對(duì)薄膜造成更多的退化。
第五部,、分為利用HF溶液將薄膜之表面改質(zhì)層去除,，并分析此表面改質(zhì)層的影響。實(shí)驗(yàn)結(jié)果顯示,，經(jīng)過(guò)高純氧氣電漿處理之薄膜所產(chǎn)生之表面改質(zhì)層會(huì)使薄膜特性變差,，但是當(dāng)表面改質(zhì)層被完全蝕刻后，其薄膜特性,、電性及可靠度皆會(huì)與未經(jīng)過(guò)高純氧氣電漿處理之薄膜的特性相似,。
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